多(duo)晶硅超純水設備產品優(you)勢有哪(na)些，北京中天恒遠(yuan)編輯(ji)李(li)德馨(xin)了(le)(le)解到(dao)許(xu)多(duo)用戶朋(peng)友(you)們(men)很關心(xin)這個(ge)問題(ti)，所以小編認真(zhen)查閱了(le)(le)相(xiang)關資料(liao)，詳(xiang)細咨(zi)詢(xun)了(le)(le)單位(wei)相(xiang)關技術人員，整理總結了(le)(le)一(yi)下，為廣大用戶朋(peng)友(you)詳(xiang)細介紹一(yi)下，希望(wang)對您(nin)有所幫助(zhu)。

　　多晶硅超純水設備產(chan)品優勢有哪些：

　　多(duo)(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)超純水設備主要用在(zai)多(duo)(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)片清洗(xi)中，多(duo)(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)片,半導(dao)體(ti)器(qi)(qi)件(jian)(jian)生產中硅(gui)片須經嚴格清洗(xi)。微量(liang)污染(ran)也會(hui)導(dao)致器(qi)(qi)件(jian)(jian)失效(xiao)。清洗(xi)的(de)(de)目的(de)(de)在(zai)于(yu)清除表(biao)(biao)面(mian)污染(ran)雜(za)質，包(bao)括有(you)(you)機(ji)物(wu)(wu)(wu)和無機(ji)物(wu)(wu)(wu)。這些雜(za)質有(you)(you)的(de)(de)以原子狀(zhuang)態或(huo)離子狀(zhuang)態，有(you)(you)的(de)(de)以薄膜形式(shi)或(huo)顆粒形式(shi)存在(zai)于(yu)硅(gui)片表(biao)(biao)面(mian)。有(you)(you)機(ji)污染(ran)包(bao)括光刻(ke)膠、有(you)(you)機(ji)溶劑殘(can)留(liu)物(wu)(wu)(wu)、合成蠟和人接(jie)觸器(qi)(qi)件(jian)(jian)、工具、器(qi)(qi)皿帶來的(de)(de)油脂(zhi)或(huo)纖(xian)(xian)維。無機(ji)污染(ran)包(bao)括重金屬(shu)(shu)金、銅、鐵、鉻(ge)等(deng)(deng)，嚴重影響(xiang)少數載流子壽命(ming)和表(biao)(biao)面(mian)電導(dao);堿金屬(shu)(shu)如鈉等(deng)(deng)，引起嚴重漏電,顆粒污染(ran)包(bao)括硅(gui)渣(zha)、塵埃(ai)、細(xi)菌、微生物(wu)(wu)(wu)、有(you)(you)機(ji)膠體(ti)纖(xian)(xian)維等(deng)(deng)，會(hui)導(dao)致各種缺陷。　　

　　為什么光(guang)伏行業晶體(ti)(ti)管、半導體(ti)(ti)集成(cheng)電路清洗(xi)一定要用(yong)超純水?

　　在(zai)晶體管、集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)生產(chan)(chan)中(zhong)(zhong)(zhong)，純水主要(yao)(yao)用(yong)于清洗(xi)(xi)硅(gui)(gui)片，另有(you)少量用(yong)于藥液(ye)配制，硅(gui)(gui)片氧化的(de)(de)水汽源，部分(fen)設備的(de)(de)冷卻(que)水，配制電(dian)(dian)(dian)鍍液(ye)等。集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)生產(chan)(chan)過程中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)80%的(de)(de)工序需要(yao)(yao)使用(yong)高純水清洗(xi)(xi)硅(gui)(gui)片，水質的(de)(de)好壞與集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)產(chan)(chan)品(pin)質量及生產(chan)(chan)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)品(pin)率(lv)關(guan)系很大。水中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)堿金屬(K、Na等)會(hui)使絕緣膜耐壓(ya)不良，重金屬(Au、Ag、Cu等)會(hui)使PN結(jie)耐壓(ya)降(jiang)低，Ⅲ族(zu)元素(B、Al、Ga等)會(hui)使N型(xing)(xing)(xing)(xing)半導體特(te)性(xing)惡化，Ⅴ族(zu)元素(P、As、Sb等)會(hui)使P型(xing)(xing)(xing)(xing)半導體特(te)性(xing)惡化，水中(zhong)(zhong)(zhong)細菌高溫碳(tan)化后(hou)的(de)(de)磷(lin)(約(yue)占灰分(fen)的(de)(de)20-50%)會(hui)使P型(xing)(xing)(xing)(xing)硅(gui)(gui)片上的(de)(de)局部區域(yu)變為N型(xing)(xing)(xing)(xing)硅(gui)(gui)而導致(zhi)器(qi)件性(xing)能變壞，水中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)顆粒(包(bao)括細菌)如吸附在(zai)硅(gui)(gui)片表面，就會(hui)引起電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)短(duan)路(lu)(lu)或特(te)性(xing)變差。集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(DRAM)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)度(du)16K的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)是電(dian)(dian)(dian)阻(zu)率(lv)16兆歐(ou)(ou)以上，集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(DRAM)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)度(du)64K的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)是電(dian)(dian)(dian)阻(zu)率(lv)16兆歐(ou)(ou)以上，集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(DRAM)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)度(du)256K的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)是電(dian)(dian)(dian)阻(zu)率(lv)≥17 MΩ•cm，集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(DRAM)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)度(du)1M的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)率(lv)≥18MΩ•cm，集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(DRAM)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)度(du)4M的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)率(lv)≥18MΩ•cm，集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(DRAM)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)度(du)16M的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)率(lv)≥18.2MΩ•cm。

　　執行標準

　　JBT 7621-1994 電力半導體(ti)器件工(gong)藝用高純水(shui)

　　GBT11446.1-2013電(dian)子級超(chao)純水中(zhong)國國家(jia)標準

　　GB6682-2000中國(guo)國(guo)家實(shi)驗室用水GB6682-2000

　　ASTM D5127-2007美國(guo)電子和半導(dao)體水質標準

　　GB/T 11446.3——1997 電(dian)子(zi)級水測試方(fang)法通則

　　GB/T 11446.4——l997 電子級水電阻率的測試(shi)方法

　　GB/T 11446.5——1997 電子級水(shui)中(zhong)痕量金(jin)屬的原子吸收分光光度測試方法(fa)

　　GB/T 11446.6——1997 電子級(ji)水中二氧(yang)化(hua)硅的分光光度測試(shi)方法

　　GB/T 11446.7——1997 電子(zi)級水(shui)中痕量氯離(li)子(zi)、硝酸根(gen)離(li)子(zi)、磷(lin)酸根(gen)離(li)子(zi)、硫酸根(gen)離(li)子(zi)的離(li)子(zi)色譜測試方(fang)法(fa)

　　GB/T 11446.8——1997 電子(zi)級水(shui)中總有機碳的(de)測試方(fang)法(fa)

　　GB/T 11446.9——1997 電子級水中(zhong)微粒的儀器測試(shi)方法

　　GB/T 11446.10——1997 電子(zi)級水(shui)細菌總數的濾(lv)膜培養測試方(fang)法

　　我司整合(he)了國(guo)內(nei)外先進的工藝及技術，采用預處理+雙級(ji)反滲(shen)透+EDI+雙級(ji)拋光混床+終端濾器。

　　超純水(shui)(shui)一方面在于制水(shui)(shui)工(gong)藝，另外一個(ge)重(zhong)要(yao)的方面在于超純水(shui)(shui)的輸(shu)送，我司采用PVDF材質(zhi)管道，保證(zheng)終端用水(shui)(shui)點的水(shui)(shui)質(zhi)達到使用要(yao)求(qiu)。

　　北京中天恒遠反滲透設備聯系方式：

　　咨詢電話：010-8022-5898

　　技術手機：186-1009-4262

　　技(ji)術微信：186-1009-4262

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